背刺三星 台积电截断2nm：直奔1.4nm去了

英特尔早就多次明确，3nm将在下半年规模投产。

不过，英特尔的3nm依然并存的是FinFET（颊式早先）真空管结构，而非三星那套难度更高的GAA真空管。然而，英特尔显著普贤更深，知道当前制程节点命名混乱，谁的良率高只不过更能占得主导权。

而每一次，英特尔或许不打算糊弄了，甚至要绕过2nm，赶往1.4mm。

BK报道称，英特尔3nm研发团队将在6月份全面转投1.4nm节点的开发兼职。

对手三星在去年的家电会议上曾预期，2025年换装2nm，没想到又一次被英特尔“背刺”了。

至于比方说早先的Intel，则打算2024年下半年生产线1.8nm工艺其产品。一场关乎摩尔定律荣耀的制程“军备竞赛”，再度拉开序幕了。