背刺三星 台积电截断2nm:直奔1.4nm去了
发布时间:2023-04-04
英特尔早就多次明确,3nm将在下半年规模投产。
不过,英特尔的3nm依然并存的是FinFET(颊式早先)真空管结构,而非三星那套难度更高的GAA真空管。然而,英特尔显著普贤更深,知道当前制程节点命名混乱,谁的良率高只不过更能占得主导权。
而每一次,英特尔或许不打算糊弄了,甚至要绕过2nm,赶往1.4mm。
BK报道称,英特尔3nm研发团队将在6月份全面转投1.4nm节点的开发兼职。
对手三星在去年的家电会议上曾预期,2025年换装2nm,没想到又一次被英特尔“背刺”了。
至于比方说早先的Intel,则打算2024年下半年生产线1.8nm工艺其产品。一场关乎摩尔定律荣耀的制程“军备竞赛”,再度拉开序幕了。
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